類別 |
主要產(chǎn)品 |
功能特點(diǎn)/應(yīng)用場景 |
功率半導(dǎo)體芯片和器件產(chǎn)品 |
晶閘管 |
電流控制型。電流增益大、導(dǎo)通電阻小,利用小電流實(shí)現(xiàn)高電壓、大電流的控制,在實(shí)際應(yīng)用中主要作為可控整流器件和可控電子開關(guān)使用,應(yīng)用于工業(yè)控制的電源模塊、電力傳輸的無功補(bǔ)償裝置、家用電器的控制板等領(lǐng)域。 公司晶閘管產(chǎn)品包括芯片(含管芯)和塑封器件。 |
MOSFET |
電壓控制型。輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率低。具有開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn),應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、不間斷電源、光伏逆變器、充電樁的電源模塊、新能源車的驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。 公司MOSFET產(chǎn)品包括芯片和塑封器件。 |
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整流二極管 |
單向?qū)щ娦?、電流容量大、阻斷電壓高,具有整流、續(xù)流等特點(diǎn)。整流二極管具有高壓大電流的特性,主要起整流作用,主要應(yīng)用于家用電器、電力傳輸、無線充電等領(lǐng)域的各類低頻整流電路中。 公司二極管產(chǎn)品主要為整流二極管芯片(含管芯)。 |
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肖特基二極管 |
具有低壓大電流、低功耗、高速導(dǎo)通、反向恢復(fù)時(shí)間短等優(yōu)良特性。在高頻整流、開關(guān)電路和保護(hù)電路中起整流和續(xù)流作用。主要應(yīng)用于開關(guān)電源、通信電源、變頻器、光伏接線盒等高頻電路中。 公司肖特基二極管產(chǎn)品為芯片產(chǎn)品。 |
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功率模塊 |
由兩個(gè)或兩個(gè)以上芯片按一定功能組合和電路連接,安裝在陶瓷片等基材上,用彈性硅凝膠等保護(hù)材料密封在一個(gè)絕緣外殼內(nèi)或采用塑料封裝,實(shí)現(xiàn)特定功能的模塊。具有較高的可靠性、較小的體積、能夠簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種功率變換領(lǐng)域。 公司模塊主要應(yīng)用于高壓大電流場景,如電力傳輸、工業(yè)控制等。 |
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功率半導(dǎo)體材料產(chǎn)品 |
銅金屬化陶瓷片 |
將銅濺射到陶瓷基片表面形成的復(fù)合基材。具有優(yōu)良電絕緣性能,高導(dǎo)熱特性,優(yōu)異的軟釬焊性和高附著強(qiáng)度。 公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于器件封裝、功率模塊等。 |
拋光片 |
由研磨片經(jīng)過后續(xù)腐蝕、拋光、清洗等精密加工而成,主要應(yīng)用于集成電路和分立器件制造。 公司拋光片主要用作外延片的襯底材料。 |
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外延片 |
在拋光片襯底上外延生長一層或多層硅單晶薄膜的材料,通過生長高質(zhì)量的外延層,可以改善并提高電路、器件的電參數(shù)及可靠性。 公司外延片主要用于制造高品質(zhì)的功率半導(dǎo)體芯片。 |